苏州回收NEXPERIA安世网卡芯片
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随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩,连带影响到抹写次数(p/e cycles)的缩减。slc存储器从3x 制程的100,000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60,000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10,000 p/e、ecc 8bit,到2x/2y 制程时已降为3,000 p/e、24~40个ecc bit。 有厂商提出,eslc、islc的存储器解决方案,以运用既有的低成本的mlc存储器,在单一细胞电路单元使用slc读写技术(只储存单一位元的电荷值),抹写度提升到30,000次p/e,成本虽比mlc高,但远于slc,可应用在ipc/kiosk/pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6
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