广州回收SILERGY矽力杰芯片 今日行情报价
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中,将光信号传输元件封装至芯片内部,标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是:将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接,利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起,构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比,光互连带宽密度提高1000倍,功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率,大幅提升封装内芯片间的数据传输能力,满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月,darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段,darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上,应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺, 改进芯片品质,提升芯片良率,化芯片性能,提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身,可实现高带宽数据传输,提高计算性能,降低运行功耗,将大幅加速人工智能算法和计算,对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月,美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪,灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成,自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明,芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点,在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月,美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成,采用了新的电路架构设计,可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成,每个行组包含八层忆阻器,层与层呈阶梯式交错堆叠搭接,每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ,减少了相关干扰,大幅 了“潜在通路”效应,有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升,为人工神经网络等计算技术,以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
一种称为静态ram(static ram/sram),sram速度非常快,是目前读写快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如cpu的缓冲,二级缓冲。另一种称为动态ram(dynamic ram/dram),dram保留数据的时间很短,速度也比sram慢,不过它还是比的rom都要快,但从价格上来说dram相比sram要便宜很多,计算机内存就是dram的。 dram dram分为很多种,常见的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等,这里介绍其中的一种ddr ram。 ddr ram(date-rate ram)也称作ddr sdram,这种改进型的ram和sdram是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得多的内存,而且它有着成本势,事实上击败了intel的另外一种内存标准-rambus dram。在很多的显卡上,也配备了高速ddr ram来提高带宽,这可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。 2、romTJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT PIC32MX795F512LT-80I/PT CLF10060NIT-101M-D MPXV5010DP TBD62083AFNG(Z,EL) S9KEAZN64AMLH TJA1042TK/3,118 MIMX8MQ6DVAJZAB
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