南通回收VISHAY/威世倒闭工厂库存清单
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这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流，有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置，允许高低边共用相同型号的器件，从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内，进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs)，测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能，器件抗扰能力强，可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板，帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目， 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。
ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。 而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。 STB14NK60ZT4 STFW4N150 L7815CD2T-TR STD3NK50ZT4 STP6N95K5 STN3NF06L STD5N20LT4 VND7NV04TR-E VNP35N07-E STD3N62K3 STW38N65M5 STB23N80K5 STB4NK60ZT4 STF13N60M2 VNB10N07-E VND5N07TR-E VNP35N07-E VNP5N07-E VND7NV04TR-E STD3N62K3 VND7N04TR-E VNP20N07-E
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