北京收购Renesas瑞萨逻辑IC
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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
掉电不丢失数据，容量大，价格便宜 rom英文名read-only memory，只读存储器，里面数据在正常应用的时候只能读，不能写，存储速度不如ram。 prom：（p指的programmable）可编程rom，根据用户需求，来写入内容，但是只能写一次，就不能再改变了 eprom：prom的升级版，可以多次编程更改，只能使用紫外线擦除 eeprom：升级版，可以多次编程更改，使用电擦除CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G
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