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随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回收iwatte/dialog手机存储芯片回收瑞萨集成电路芯片回收infineon声卡芯片回收INFINEON升压IC 回收arvinMOS管场效应管回收XilinxMOS管回收INFINEON原装整盘IC 回收adi网卡芯片回收PANASONIC车充降压IC 回收安森美逻辑IC 回收CJ长电传感器芯片回收MARVELLMOS管回收semiment汽车主控芯片回收INFINEONSOP封装IC 回收英飞凌触摸传感器芯片回收semtech音频IC 回收瑞昱微控制器芯片回收arvin集成电路芯片回收TOSHIBA进口IC 回收中芯芯片回收凌特收音IC 回收芯成降压恒温芯片回收idesyn降压恒温芯片回收RENESAS封装SOP20芯片