河源回收LATTICE莱迪斯封装TO-220三极管
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电罗姆集团与意法半导体就碳化硅(sic)晶圆长期供货事宜达成协议
半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“st”），双方就碳化硅（以下简称“sic”）晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh （以下简称“sicrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由sicrystal（sic晶圆生产量欧洲）向st（面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商）供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上，发布了小米gan充电器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充电，搭配小米10 pro可实现50w快充，体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作，加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列，完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技（infineon）持续扩展其方位的碳化硅（sic）产品组合，新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求，包括：服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说，推出这项产品后，英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半导体产品组合。
flash存储器又成为闪存，它与eeprom都是掉电后数据不丢失的存储器，但是flash的存储容量都普遍的大于eeprom，在存储控制上，主要的区别是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以单个字节擦除。 sram是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。stm32f1系列可以通过fsmc外设来拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储，而是自由进行数据读写。stm32的f1系列是不支持sdram的。 ADM6823TYRJZ ADM6823SYRJZ AD8665ARJZ ATF-52189 MIC5265-3.0YD5 RT6258BGQUF ADG608BRUZ AD8014ARTZ ADG719BRMZ ADG819BRMZ AD7942BCPZ AD7982BCPZ ADG419BRZ AD8029AKSZ-REEL7 AD8591ARTZ AD8561ARU-REEL AGB3307S24Q1 AD8651ARMZ AD8617ARMZ AD8519AKSZ-REEL7 MAX4490AXK-T ADP2384ACPZN CY7C1248KV18-450BZXC CY7C1264XV18-450BZXC CY7C1423KV18-300BZXC
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