25小时在线 158-8973同步7035 可微可电回收pixelplus派视尔芯片、回收sunplus凌阳芯片、回收nextchip芯片、回收soinc晶相芯片、回收richtek立锜芯片、回收simcon芯讯通芯片、回收jorjin佐臻芯片、回收generalplus凌通芯片、回收dialog戴乐格芯片、回收nordic芯片、回收nxp恩智浦芯片、回收bosch博世芯片、回收st意法芯片、回收infineon英飞凌芯片、回收jrc芯片、回收sony索尼芯片、回收toshiba东芝芯片等micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年，美光（micron）与sk hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的nand flash存储器技术，而东芝（toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率，从2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格，传输速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0传输速率为2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps；预估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  EPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3