从10月9日开始有收购消息传出,到现在正式达成收购协议,仅用时不到20天,并且,amd终以超出先传闻的300亿美元和赛灵思的市值迅速完成收购,不可谓不。
近年来,随着pc市场整体逐渐平稳,包括amd、英伟达及英特尔在内的半导体厂商,都将公司主要业务向利润更高且增长空间更大的数据 和人工智能市场倾斜。此前,英特尔公司于2015年以167亿美元的价格收购了fpga市场份额老二的altera公司,英伟达今年9月份以400亿美元的价格收购英国芯片arm公司,这让 amd感受到了数据 战场局面的紧迫性。
amd ceo苏姿丰在2014年上任后便决定,要大力发展包括云计算、数据 、人工智能和游戏在内的高新能计算应用技术,现在拍板买下赛灵思的目的就是为了增强其在数据 领域的竞争力。
资料显示,赛灵思即为现场可编程逻辑门阵列(fpga)芯片的和,在fpga芯片市场拥有42 的份额。
fpga可以说得上是芯片,能够赋予更为灵活的开发空间,被广泛用于消费电子、数据 、5g通信、无人驾驶、等当下诸多前沿科技领域。苏姿丰在公告中称,amd与赛灵思的合作,将推进amd采用xilinx产品系列,并将加速amd进入新的市场。
在完成后,amd将在数据 芯片市场正式形成“cpu+gpu+fpga”的产品线,意味着amd将在深入到人工智能、物联网、航空、5g通信、无人驾驶、航空等领域时,拥有遥遥的竞争实力。
随着这笔收购案的尘埃落定,三大加速完成市场整合与战略布局,半导体行业已经迎来新一轮。有意思的是,在英伟达收购arm公司时,英特尔、高通、特斯拉等多家美国科技竟组成临时联盟,集体向美国和其他海外主要市场发出告,称该笔不利于芯片行业的长远发展,意图阻止英特尔与arm的强强联合。有这一案例在前,amd与赛灵思的结合,或也有可能遭遇相同的告。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。 三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。 TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z