ISL9R3060G2英飞凌MOS管、原装现货ASEMI代理

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ISL9R3060G2英飞凌MOS管、原装现货ASEMI代理

型号:ISL9R3060G2

品牌:ASEMI

封装:TO-247-2L

最漏源电流:30A

漏源击穿电压:600V

RDSONMax0.08Ω

引脚数量:3

特性:车规级MOS

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-50~175

备受欢迎的ISL9R3060G2车规级MOS

  ASEMI品牌ISL9R3060G2是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ISL9R3060G2的最漏源电流30A,漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

ISL9R3060G2,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

ISL9R3060G2具体参数为:最漏源电流:30A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-247-2L

 

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOSIGBTFRD系列:

Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDAIPW65R110CFDAIPW65R080CFDAAIGW40N65H5AIGW50N65H5等。

ON/安森美:FCH041N65FNVHL040N65S3FFGH40N60SMDISL9R3060G2等。

ST意法:STW43NM60NDSTW78N65M5STTH6010-YSTTH30ST06-YSTTH60RQ06-YSTTH1506DPISTTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。

ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件,主要生产销售整流桥系列封装(DBWOBBRKBPCKBPKBPMGBUGBLKBLKBJKBU);整流模块(MDSMTCMDQQLFSQLF);汽车整流子(25A50A STD&TVS ButtonCellMUR);肖特基二极管TO-220MBR10100101502010020150202003010030200全塑封半塑封);肖特基TO-3P/247,整流二极管(STDFRHERSFSRTVS、开关管、稳压管);玻璃钝化(GPP)六英寸晶圆等,各种封装参数在ASEMI官网都有详细介绍。



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