STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理
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STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理
型号：STTH15RQ06-Y
品牌：ASEMI
封装：TO-220-2L
漏源电流：15A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：0.24Ω
引脚数量：2
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
特性：车规级MOS管
恢复时间：25ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管
工作结温：-40℃~175℃
STTH15RQ06-Y车规级场效应管
STTH15RQ06-Y的电性参数：漏源电流15A；漏源击穿电压600V
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
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