STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

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STTH15RQ06-Y英飞凌车规MOS\原装现货\ASEMI代理

型号:STTH15RQ06-Y

品牌:ASEMI

封装:TO-220-2L

漏源电流:15A

漏源击穿电压:600V

RDSONMax0.24Ω

引脚数量:2

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

特性:车规级MOS

恢复时间:25ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:中低压MOS

工作结温-40℃~175℃

STTH15RQ06-Y车规级场效应管

STTH15RQ06-Y的电性参数:漏源电流15A;漏源击穿电压600V

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOSIGBTFRD系列:

Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDAIPW65R110CFDAIPW65R080CFDAAIGW40N65H5AIGW50N65H5等。

ON/安森美:FCH041N65FNVHL040N65S3FFGH40N60SMDISL9R3060G2等。

ST意法:STW43NM60NDSTW78N65M5STTH6010-YSTTH30ST06-YSTTH60RQ06-YSTTH1506DPISTTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。


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