南通回收XYSEMI赛芯微WIFI芯片
深圳市东域电子有限公司
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电感在电路中常用“L”加数字说,如:L3说编号为3的电感。电路板上的电感器
电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。
直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。
电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻类似。如:棕、黑、金、金说1uH(误差5 )的电感。
电感的基本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=103mH=106uH。
flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作,eeprom则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,flash的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比eeprom低,因而适合用作程序存储器,eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行,但操作比eeprom麻烦的多,所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有flash,早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构,现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器,rom是read only memory的缩写,ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而ram通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类:RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR
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