山东回收ADI亚德诺封装SOP20芯片
深圳市东域电子有限公司
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中,将光信号传输元件封装至芯片内部,标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是:将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接,利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起,构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比,光互连带宽密度提高1000倍,功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率,大幅提升封装内芯片间的数据传输能力,满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月,darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段,darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上,应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺, 改进芯片品质,提升芯片良率,化芯片性能,提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身,可实现高带宽数据传输,提高计算性能,降低运行功耗,将大幅加速人工智能算法和计算,对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月,美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪,灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成,自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明,芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点,在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月,美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成,采用了新的电路架构设计,可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成,每个行组包含八层忆阻器,层与层呈阶梯式交错堆叠搭接,每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ,减少了相关干扰,大幅 了“潜在通路”效应,有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升,为人工神经网络等计算技术,以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
rom也有很多种,prom是可编程的rom,prom和eprom(可擦除可编程rom)两者区别是,prom是也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而eprom是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种eeprom是通过电子擦出,价格,写入时间很长,写入很慢。手机软件一般放在eeprom中,我们打电话,有些后拨打的号码,暂时是存在sram中的,不是马上写入通过记录(保存在eeprom中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。 flash存储器又称闪存,它结合了rom和ram的长处,不仅具备电子可擦除可编程(eeprom)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(nvram的势) rom(eprom)作为它们的存储设备,然而近年来 flash代替了rom(eprom)在嵌入式系统中的,用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(u盘)。目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。 3、flashTS391RILT TSV734IPT TSX3702IST VN340SPTR-E VN5025AJTR-E VN5E050J-E VN800PSTR-E VND5025AK-E VND5E025AKTR-E VND600SPTR-E VNP35NV04-E VNQ5E160AKTR-E ULN2069B ULN2074B VIPER06HN VIPER26LN VIPER35LD VN340SP-33-E VND7NV04-E VNQ600PTR-E X-NUCLEO-IKA01A1 SMC30J33CA VN808CM-32-E VN808CM-E VN820SP-E
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