惠州回收FITIPOWER天钰电子元件尾料
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电罗姆集团与意法半导体就碳化硅(sic)晶圆长期供货事宜达成协议
半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“st”），双方就碳化硅（以下简称“sic”）晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh （以下简称“sicrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由sicrystal（sic晶圆生产量欧洲）向st（面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商）供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上，发布了小米gan充电器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充电，搭配小米10 pro可实现50w快充，体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作，加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列，完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技（infineon）持续扩展其方位的碳化硅（sic）产品组合，新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求，包括：服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说，推出这项产品后，英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半导体产品组合。
骁龙870处理器采用4个a77大核+4个a55小核的架构，其中主核频率高可达3.2ghz。骁龙870具有成熟的架构、更高的主频性能。骁龙888处理器采用1个新的大核+3个a78大核+4个a55小核，其中主核频率高可达2.84ghz，虽然主频低于骁龙870，但高通公司认为骁龙888仅凭搭配arm cortex-x1 的cpu设计就已经让骁龙888比骁龙865的计算能力提升25 ，而且同时减低了25 的电力损耗，用户实际使用的体验会于骁龙865。 TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1
半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“st”），双方就碳化硅（以下简称“sic”）晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh （以下简称“sicrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由sicrystal（sic晶圆生产量欧洲）向st（面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商）供应的150mm sic晶圆。
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