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随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  MP1494SGJ-Z MP1496DJ-LF-Z MP1601GTF-Z MP1652GTF-Z MP2305DS-LF-Z MP2617BGL-Z SY8703ABC SY7301AADC OB3396AP SY7310AADC SY5018BFAC SY5830BABC SY5839ABC SY5867FAC MCP2551T-I/SN TJA1057GT/3 MCP2551T-I/SN TJA1042T/1J TJA1057GT/3 DPA424R-TL PCA82C251T/YM NRF52811-QCAA-R PN5321A3HN/C106 SYH407AAC PN5321A3HN/C106 APW8720BKAE-TRG M74HC4040RM13TR TJA1041T/CM MC74ACT125DR2G AD5694RBCPZ-RL7 TLV4112IDGNR DS2417P+TR MAX211IDWR STM32L151CBT6 STM32F030C8T6 STM32F207VCT6 STM32F051C8T6 STM32L052K8U6TR STM32F051C8T6 STM32P100R8SODTR STM32P100R8S0DTR STM32P10SODTR STM32P10S0DTR STM32F103R6H6 STM32L151R8H6 74VHC595MTCX YDA174-QZE2 TJA1042T/CM XC4VSX55-11FF1148I XC4VSX55-10FF1148I M25P64-VMF6TP AT24C64D-SSHM-T KMK7X000VM-B314 PIC18F25K80-I/SS HCS300-I/SN IRF7317TRPBF CM108B IRFB7537PBF ATTINY45-20SU LAN9514-JXZ MCP3201-BI/SN