常州回收UNILC紫光国芯功放管
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中芯发布公告称，公司就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单，根据阿斯麦购买单购买的阿斯麦产品定价，阿斯麦购买单的总代价为 1201590 美元。这部分主要为 duv 光刻机。
今日，据财联社，透露，中芯正在努力重新获得订单，是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注：finfet 工艺是指鳍式场效应晶体管工艺，该工艺可大幅电路控制并减少漏电流，还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到，3 月 10 日，据选股宝，从供应链获悉，中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90 -95 。目前，中芯各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
据中芯介绍，中芯是的集成电路晶圆代工企业之一，也是内地技术，配套完善，规模大，跨国经营的集成电路制造企业。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圆厂，一座 200mm 晶圆厂和一座实际控股的 300mm 设备制程晶圆合资厂;在北京建有一座 300mm 晶圆厂和一座控股的 300mm 晶圆厂;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圆厂;在江阴有一座控股的 300mm 合资厂。
东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。 由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。 LM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER
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