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从10月9日开始有收购消息传出，到现在正式达成收购协议，仅用时不到20天，并且，amd终以超出先传闻的300亿美元和赛灵思的市值迅速完成收购，不可谓不。
近年来，随着pc市场整体逐渐平稳，包括amd、英伟达及英特尔在内的半导体厂商，都将公司主要业务向利润更高且增长空间更大的数据 和人工智能市场倾斜。此前，英特尔公司于2015年以167亿美元的价格收购了fpga市场份额老二的altera公司，英伟达今年9月份以400亿美元的价格收购英国芯片arm公司，这让 amd感受到了数据 战场局面的紧迫性。
amd ceo苏姿丰在2014年上任后便决定，要大力发展包括云计算、数据 、人工智能和游戏在内的高新能计算应用技术，现在拍板买下赛灵思的目的就是为了增强其在数据 领域的竞争力。
资料显示，赛灵思即为现场可编程逻辑门阵列（fpga）芯片的和，在fpga芯片市场拥有42 的份额。
fpga可以说得上是芯片，能够赋予更为灵活的开发空间，被广泛用于消费电子、数据 、5g通信、无人驾驶、等当下诸多前沿科技领域。苏姿丰在公告中称，amd与赛灵思的合作，将推进amd采用xilinx产品系列，并将加速amd进入新的市场。
在完成后，amd将在数据 芯片市场正式形成“cpu+gpu+fpga”的产品线，意味着amd将在深入到人工智能、物联网、航空、5g通信、无人驾驶、航空等领域时，拥有遥遥的竞争实力。
随着这笔收购案的尘埃落定，三大加速完成市场整合与战略布局，半导体行业已经迎来新一轮。有意思的是，在英伟达收购arm公司时，英特尔、高通、特斯拉等多家美国科技竟组成临时联盟，集体向美国和其他海外主要市场发出告，称该笔不利于芯片行业的长远发展，意图阻止英特尔与arm的强强联合。有这一案例在前，amd与赛灵思的结合，或也有可能遭遇相同的告。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  EPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3