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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

sram是静态（s指的static）ram，静态指的不需要刷新电路，数据不会丢失，sram速度非常快，是目前读写快的存储设备了。 dram是动态ram，动态指的每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快。 sdram是同步（s指的是synchronous）dram，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准 ddr、ddr2、ddr3都属于sdram，ddr是double daterate的意思，三种指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，现在出了ddr4，也是同一系列 romLMV552MMX PH9130AL LMP7715MFX BYQ28E-200 BYV29FX-600 TMP512AIDR ADF4153BCPZ TDA9981BHL/8/C1 FAN2106MP ISP1104W PCA9535BS LM4120AIM5X-4.1 LP3470M5X-3.08 BFG505 MIC5235-3.3YM5 P4SMA30A-E3/61 LP3470M5-4.63 MIC2142YM5 LP3990MF-1.2 LP3990MFX-1.2 LM4050AEM3-5.0 PBSS4160T NUP4201MR6T1G