25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电子元器件ti、at、长电芯片识别真假的方法后，本期再迎来美信芯片的识别方法，以max485esa+t为例，可以从以下几点辨别真假：
原装盒子字体打印清晰，中间手指的指甲线条较细，非原装手指图案中间的线条稍粗；
标签上美信的logo，“m”字下方三角形较立体，并且字母后面小字母标注类似tta，非原装logo “m”字下方类似三角形，字母后面的小字母类似tm；
原装胶盘上每个小孔内字体较暗，效果不会明显，非原装较强；
原装带子保护膜呈乳白色，保护膜与芯片不会压的紧，非原装完呈透明状态；
芯片上丝印字体大小均匀清晰，定位孔大小 一致，管脚无打磨，非原装打磨可能会较明显。
micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年，美光（micron）与sk hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的nand flash存储器技术，而东芝（toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率，从2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格，传输速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0传输速率为2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps；预估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T