25小时在线 158-8973同步7035 可微可电众所周知，大多数芯片所掌握的技术大多数都是靠自主研发，就拿高通来说，手握众多技术，也为公司带来不小的营收。然而，博通公司却另辟跷径，其掌握的技术靠巨额收购，，博通公司前身名为安华半导体，后来因为收购博通公司，正式改名为博通。
在博通公司发展的历程中，可以说一直都在，也是靠买，收购了英飞凌的光纤业务部、声波业务，之后收购了cyopteics、javelin sem nductir以及美国芯片lst等收入囊中。同时，博通收购大量公司之后，也获得了技术的积累，正是因为如此，博通才有了与高通分庭抗争的实力。
根据相关数据显示，博通公司自成立一来，在收购方面就花去了超600亿美元，约合4000亿。不得不承认，博通公司真的有钱，仅靠收购就能建立起属于自己的技术壁垒，也算是一个好办法。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  NCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG