25小时在线 158-8973同步7035 可微可电罗姆集团与意法半导体就碳化硅(sic)晶圆长期供货事宜达成协议
半导体制造商罗姆和意法半导体（以下简称“st”），双方就碳化硅（以下简称“sic”）晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh （以下简称“sicrystal”）供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下，双方达成超1.2亿美元的协议，由sicrystal（sic晶圆生产量欧洲）向st（面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商）供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上，发布了小米gan充电器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充电，搭配小米10 pro可实现50w快充，体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作，加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列，完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技（infineon）持续扩展其方位的碳化硅（sic）产品组合，新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求，包括：服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说，推出这项产品后，英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半导体产品组合。
ddr4以前瞻性的高传输速率、v- 低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站／伺服器以及桌上型电脑平台，并与lp-ddr3存储器将同时存在一段时间；至于nand flash快闪存储器也跨入1x 制程，mlc将以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹写次数（program erase；p/e）来抢占要求耐受度的军方与工控市场，而c/p值高的tlc从随碟、记忆卡的应用导向低端ssd…   ddr4伺服器先行 2016ddr3成为主流TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1