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中芯发布公告称，公司就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单，根据阿斯麦购买单购买的阿斯麦产品定价，阿斯麦购买单的总代价为 1201590 美元。这部分主要为 duv 光刻机。
今日，据财联社，透露，中芯正在努力重新获得订单，是其 14nm finfet 工艺订单。(it之家注：finfet 工艺是指鳍式场效应晶体管工艺，该工艺可大幅电路控制并减少漏电流，还可以大幅晶体管的栅长。)it之家了解到，3 月 10 日，据选股宝，从供应链获悉，中芯 14nm 制程工艺产品良率已追平台积电同等工艺，水准达约 90 -95 。目前，中芯各制程产能满载，部分成熟工艺订单已排至 2022 年。
据中芯介绍，中芯是的集成电路晶圆代工企业之一，也是内地技术，配套完善，规模大，跨国经营的集成电路制造企业。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圆厂，一座 200mm 晶圆厂和一座实际控股的 300mm 设备制程晶圆合资厂;在北京建有一座 300mm 晶圆厂和一座控股的 300mm 晶圆厂;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圆厂;在江阴有一座控股的 300mm 合资厂。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  TMP82C265BF-10 VSC7395XYV BD45285G-TR FDS8978 S1D13305F00B200 MC74LCX16373DTR2 CY2304SXC-1T BR9020F-WE2 AD5227BUJZ10-RL7 PCD50923H/C96 TPS40140RHHR B39741-B8566-P810 NM93C46M8X PCA9540BDP HAT2153RJ-EL-E CEG231G95ECB100RB5 W83L604G CY7C68014A-56LFXC APN337S3959 MC74LCX244DTR2G 74AHC1G04GW CD4556BE MC3450P M37451E8FP EPM3064ATC100-10