义乌回收UNILC紫光国芯芯片尾料
深圳市东域电子有限公司
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电感在电路中常用“L”加数字说,如:L3说编号为3的电感。电路板上的电感器
电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。
直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。
电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻类似。如:棕、黑、金、金说1uH(误差5 )的电感。
电感的基本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=103mH=106uH。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。 三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。 TJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT PIC32MX795F512LT-80I/PT CLF10060NIT-101M-D MPXV5010DP TBD62083AFNG(Z,EL) S9KEAZN64AMLH TJA1042TK/3,118 MIMX8MQ6DVAJZAB
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