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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

 flash存储器又成为闪存，它与eeprom都是掉电后数据不丢失的存储器，但是flash的存储容量都普遍的大于eeprom，在存储控制上，主要的区别是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以单个字节擦除。  sram是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。stm32f1系列可以通过fsmc外设来拓展sram。  注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储，而是自由进行数据读写。stm32的f1系列是不支持sdram的。回收瑞萨声卡芯片回收PANASONICMCU电源IC 回收爱特梅尔芯片回收idtADAS处理器芯片回收NIKO-SEM尼克森DOP封装芯片回收toshiba手机存储芯片回收NXP电源监控IC 回收kingbri隔离恒温电源IC 回收东芝微控制器芯片回收PANASONIC路由器交换器芯片回收中芯SOP封装IC 回收艾瓦特路由器交换器芯片回收atheros全新整盘芯片回收矽力杰电源监控IC 回收IRSOP封装IC 回收iwatte/dialog逻辑IC 回收NIKO-SEM尼克森aurix芯片回收MARVELLDOP封装芯片回收ELITECHIP降压恒温芯片回收maxim/美信封装QFP芯片回收ELITECHIP微控制器芯片回收SAMSUNG隔离恒温电源IC 回收NS蓝牙IC 回收PANASONIC稳压管理IC 回收HOLTEK合泰逻辑IC 回收GENESIS起源微开关电源IC 回收RENESAS进口IC 回收arvinSOP封装IC 回收ST意法WIFI芯片回收矽力杰车充降压IC 回收GENESIS起源微SOP封装IC 回收iwatte/dialogWIFI芯片回收PANASONIC封装sot23-5封装芯片