重庆回收ON/安森美全新整盘芯片
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这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流,有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置,允许高低边共用相同型号的器件,从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内,进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs),测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能,器件抗扰能力强,可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板,帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目, 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。

 

ddr4以前瞻性的高传输速率、v- 低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及桌上型电脑平台,并与lp-ddr3存储器将同时存在一段时间;至于nand flash快闪存储器也跨入1x 制程,mlc将以islc/eslc自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(program erase;p/e)来抢占要求耐受度的军方与工控市场,而c/p值高的tlc从随碟、记忆卡的应用导向低端ssd…   ddr4伺服器先行 2016ddr3成为主流EPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3
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