25小时在线 158-8973同步7035 可微可电把万用表的黑表笔（表内正 ）搭触二 管的正 ，，红表笔（表内负 ）搭触二 管的负 。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二 管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。
  2、反向特性测试
  把万且表的红表笔搭触二 管的正 ，黑表笔搭触二 管的负 ，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。
二 管的应用
  1、整流二 管
  利用二 管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
  2、开关元件
  二 管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二 管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
  3、限幅元件
  二 管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度在一定范围内。
  4、继流二 管
  在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
  5、检波二 管
  在收音机中起检波作用。
  6、变容二 管
  使用于电视机的中。
  
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回购k9k场效应管,海力士内存,厂家库存呆料,霍尔元件,各种电子元器件,电感系列,通信ic产品类ic,工厂库存电子元件,现代4g内存芯片,海力士flash芯片,电源ic,音效ic等等。