浙江收购Sanyo三洋视频转换芯片
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电把万用表的黑表笔(表内正 )搭触二 管的正 ,,红表笔(表内负 )搭触二 管的负 。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二 管的正向电阻,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。
  2、反向特性测试
  把万且表的红表笔搭触二 管的正 ,黑表笔搭触二 管的负 ,若表针指在无穷大值或接近无穷大值,管子就是合格的。
二 管的应用
  1、整流二 管
  利用二 管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
  2、开关元件
  二 管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二 管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
  3、限幅元件
  二 管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度在一定范围内。
  4、继流二 管
  在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
  5、检波二 管
  在收音机中起检波作用。
  6、变容二 管
  使用于电视机的中。
  
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。  三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回购k9k场效应管,海力士内存,厂家库存呆料,霍尔元件,各种电子元器件,电感系列,通信ic产品类ic,工厂库存电子元件,现代4g内存芯片,海力士flash芯片,电源ic,音效ic等等。
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