25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电子元器件ti、at、长电芯片识别真假的方法后，本期再迎来美信芯片的识别方法，以max485esa+t为例，可以从以下几点辨别真假：
原装盒子字体打印清晰，中间手指的指甲线条较细，非原装手指图案中间的线条稍粗；
标签上美信的logo，“m”字下方三角形较立体，并且字母后面小字母标注类似tta，非原装logo “m”字下方类似三角形，字母后面的小字母类似tm；
原装胶盘上每个小孔内字体较暗，效果不会明显，非原装较强；
原装带子保护膜呈乳白色，保护膜与芯片不会压的紧，非原装完呈透明状态；
芯片上丝印字体大小均匀清晰，定位孔大小 一致，管脚无打磨，非原装打磨可能会较明显。
 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 STB30NF20L STD105N10F7AG STD11N60DM2 STD13N65M2 STD80N10F7 STF10N60DM2 STF11N60DM2 STF18N60DM2 TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR CSD18532Q5B TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1 TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G38DCKR LM5009AMM/NOPB TPS259573DSGR