25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 1）1001说的是1010^2=1k，1002说的是1010^3=10k，1502说的是1510^3=15k，以此类推， 2）除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外，还有用划线的方法，来说±1 精度的，比如：103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻，562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么，上面是丝印的一种直接读数的方法，除此之外，还有另一种丝印代码的方法：e-96代码的丝印标识方法，它的精度也是±1 ，关于这种丝印的代码标识，它有自己的一套计算公式，大家可以去查表，不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的，作为电子来说，只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的，不需知道怎么去研究具体怎么来的，那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说，一定要知道元器件的大概价格，如果你设计出来的产品成本，即使再秀再的板子，那么在市场上没有竞争力，也是没有实际价值的。那么，可能有的毕业的，和采购之间相互推诿，认为这是采购的事，价格的事由采购来谈。其实，这中间的责任没有那么的明确的，有时候需要相互沟通、相互协调，等你的产品进入批量生产的时候，采购部有他们自己的指标，会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下，封装越大，价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻，也会根据材料的不同，价格也有所不同，合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是，一般情况下，精度越高，价格越高。还需要说明的是，在特殊情况下，即使±5 精度的阻值，它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高，这是因为该电阻阻值不是标称值。 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。另一种称为动态ram（dynamic ram/dram），dram保留数据的时间很短，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快，但从价格上来说dram相比sram要便宜很多，计算机内存就是dram的。