丹阳回收OKI冲电子三极管
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micron自家市场统计预测指出,从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年,美光(micron)与sk hynix两家晶圆厂,先后发表16nm制程的nand flash存储器技术,而东芝(toshiba)则在2014年直接跨入15nm制程,并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率,从2010年onfi 2.0的133mb/s,emmc v4.41的104mb/s;到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格,传输速率提升到200mb/s,emmc v4.5拉高到200mb/s,ufs 1.0传输速率为2.9gbps;2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s,ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps;预估到2015年,onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z
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