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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  回收MARVELL集成电路芯片回收RENESASBGA芯片回收亿盟微路由器交换器芯片回收maxim开关电源IC 回收英飞凌DOP封装芯片回收中芯封装QFP芯片回收中芯稳压器IC 回收beiling蓝牙IC 回收TAIYO/太诱升压IC 回收semtech封装QFP144芯片回收松下封装QFN进口芯片回收INFINEONDOP封装芯片回收瑞昱蓝牙IC 回收Marvell路由器交换器芯片回收INFINEON传感器芯片回收LINEAR电源监控IC 回收Marvell稳压器IC 回收NS进口新年份芯片回收SGMICRO圣邦微aurix芯片回收maxim触摸传感器芯片回收东芝汽车主控芯片回收GENESIS起源微封装TO-220三极管回收英飞凌进口新年份芯片回收亚德诺封装QFP144芯片回收爱特梅尔aurix芯片回收IR音频IC