25小时在线 158-8973同步7035 可微可电所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时, 使用edc/ecc系统以性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高的用于磁盘和闪存管理算法的软件,包括性能化。
在nor器件上运行代码不需要的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
rom也有很多种，prom是可编程的rom，prom和eprom（可擦除可编程rom）两者区别是，prom是也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而eprom是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种eeprom是通过电子擦出，价格，写入时间很长，写入很慢。手机软件一般放在eeprom中，我们打电话，有些后拨打的号码，暂时是存在sram中的，不是马上写入通过记录（保存在eeprom中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 flash存储器又称闪存，它结合了rom和ram的长处，不仅具备电子可擦除可编程（eeprom）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（nvram的势） rom（eprom）作为它们的存储设备，然而近年来 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系统中的，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（u盘）。目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。 3、flashSTM32F103VET6 TEF6686AHN/V205 MCIMX6Y2CVM08AB LPC822M101JHI33E 74AVC8T245BQ KSZ8863RLLI KSZ8081MNXIA-TR MCP9700AT-E/LT PIC16F1508-I/SS ATMEGA1284P-AU ICE3PCS01G IRFP4668PBF IR21844STRPBF RT9701PB UT4407G-S08-R UT4411G-S08-R NTR4502PT3G AD8617ARMZ-REEL AD8604ARZ-REEL7 AD8554ARZ-REEL7 AON6370 MCP6292T-E/SN MCP6282T-E/SN MCP6242T-E/SN MCP6232T-E/SN MCP617T-I/SN MCP607T-I/SN MCP6072T-E/SN MCP606T-I/OT RT9193-33GB RT9179PB RT9179GB RT9166-33GVL RT9161A-33GV RT9161-50GV RT9013-33GB RT9013-18GB AO4440 AOD200