温州回收INVENSENSE应美盛MOS管
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中,将光信号传输元件封装至芯片内部,标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是:将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接,利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起,构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比,光互连带宽密度提高1000倍,功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率,大幅提升封装内芯片间的数据传输能力,满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月,darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段,darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上,应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺, 改进芯片品质,提升芯片良率,化芯片性能,提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身,可实现高带宽数据传输,提高计算性能,降低运行功耗,将大幅加速人工智能算法和计算,对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月,美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪,灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成,自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明,芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点,在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月,美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成,采用了新的电路架构设计,可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成,每个行组包含八层忆阻器,层与层呈阶梯式交错堆叠搭接,每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ,减少了相关干扰,大幅 了“潜在通路”效应,有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升,为人工神经网络等计算技术,以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更长时间,且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时,故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主,对整个移动设备与储存市场上的替代效应,在明年底以前应该还看不到。  LM4120AIM5X-3.3 PTVS11VS1UR IP4292CZ10 LM4050AEM3-2.5 LM4121IM5-1.2 PMBT6428 NX3020NAKT LM4040DIM3-2.5 BQ24090DGQR VIPER22A TLV431BQDBZR TPS62200DBVR MAX6006BEUR+T MIC4684YM TPS3705-33DGNR TPS2051CDBVR TPS76330DBVR TPS73033DBVR TL431BIDBZR TLV62565DBVR NCP3218GMNR2G LM4040CIM3-5.0 TL431AIDBVR TLV431ACDBVR TLV431ACDBZR LM809M3-2.93
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