泰州回收STANSON芯片尾料
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micron自家市场统计预测指出,从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年,美光(micron)与sk hynix两家晶圆厂,先后发表16nm制程的nand flash存储器技术,而东芝(toshiba)则在2014年直接跨入15nm制程,并推出相关nand flash存储器芯片产品。  nand flash传输速率,从2010年onfi 2.0的133mb/s,emmc v4.41的104mb/s;到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格,传输速率提升到200mb/s,emmc v4.5拉高到200mb/s,ufs 1.0传输速率为2.9gbps;2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s,ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps;预估到2015年,onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。  SGM2036-3.3YN5G/TR SY6874DBC SY6288AAAC SY6282ACC SY6280AAAC SM8103ADC SY7065AQMC SYR827PKC SY8401ABC SY6702DFC SY7203DBC SY58873UFAC MP2340GJ-Z MP2480DN-LF-Z MP3202DJ-LF-Z MP4012DS-LF-Z MP6513GJ-Z SY8035DBC MP1475DJ-LF-Z MP1495SGJ-Z MP1655GG-Z MP1658GTF-Z MP172GJ-Z MP2233DJ-LF-Z MP2488DN-LF-Z MP1591DN-LF-Z MP2149GJ-Z MP2229GQ-Z MP2560DN-LF-Z MP3120DJ-LF-Z MP3423GG-Z MP3426DL-LF-Z MP6211DN-LF-Z SY6281AAC MA730GQ-Z
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