25小时在线 158-8973同步7035 可微可电司留启援引电子元器件行业协会的数据介绍，我国的电子元器件电容器用量占50 以上，但国内生产的电容器数量只占产量的7 ，销售收入额才占的3 。 司留启认为，电子元器件行业属于技术密集型和资金密集型产业，企业作为主体，需要让各种资源，如技术投入、资本资源、人才资源、政策等形成合力，注入企业中去，尽快壮大电子元器件及配套企业的规模，这样才能提升行业企业的竞争实力，才有希望突破“卡脖子”的问题。 提及资本市场和电子元器件产业的对接问题，司留启建议是否可以建立，按照相关产业发展规划，先支持电子元器件行业及其配套企业的ipo等，推动企业通过直接或再，借助资本市场的力量 成长的速度，尽快形成规模。 司留启还建议要加大顶层设计和行业的整体规划，以地培育电子元器件产业安、完善的供应链体系。要国一盘棋，有统一的布局，由牵头，然后引导企业和行业协会充分参与，区域之间实现良性竞争合作。电子元器件及其配套产业是非常细分的，不似大产业那般容易构建完整性的产业链、供应链，因此才更需要有统一布局的政策支撑，否则各个区域只盯着自己，很难在电子元器件产业链供应链方面打通国内的大循环。 此外，司留启还建议“建议高校能增设电子元器件和材料的相关并扩大招生规模，为产业的发展提供人才支撑。”电子元器件和材料是需要密切配合的，因此高校培养的方向也应是既懂工艺又懂材料的复合型人才随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR