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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
ceo赵明此前说，过去所有的供应伙伴，都与签署了恢复供应的协议，包括 amd、高通、三星、英特尔、联发科等。此外赵明透露，接收了深圳、北京、西安的研发团队，继承了华为的工艺、架构设计等技术。另外，日前近期在三亚举行了渠道峰会，对2021年的渠道部署进行了规划。北京松联科技相关负责人在上述渠道会议上说:「将做好吃苦打仗的准备，勒紧裤腰带，该投入的不打磕碰，地投入。为了实现顺利交付完成今年的目标，宁可今年一年不挣钱。 L5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY
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