台州回收DIODES美台电子库存呆料
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25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电阻是应用于各种电子设备的多的电阻类型,无论怎样安装,维修者都能方便的读出其阻值,便于检测和更换。但在实践中发现,有些电阻的排列顺序不甚分明,往往容易读错,在识别时,可运用如下技巧加以判断:
技巧1:先找标志误差的,从而排定顺序。常用的说电阻误差的颜色是:金、银、棕,尤其是金环和银环,一般绝少用做电阻的环,所以在电阻上只要有金环和银环,就可以基本认定这是电阻的末一环。
技巧2:棕是否是误差标志的判别。棕既常用做误差环,又常作为 数字环,且常常在环和末一环中同时出现,使人很难识别谁是环。在实践中,可以按照之间的间隔加以判别:比如对于一个五道的电阻而言, 五环和 四环之间的间隔比环和环之间的间隔要宽一些,据此可判定的排列顺序。
技巧3:在仅靠间距还无法判定顺序的情况下,还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的读序是:棕、黑、黑、黄、棕,其值为:100×10000=1MΩ误差为1 ,属于正常的电阻系列值,若是反顺序读:棕、黄、黑、黑、棕,其值为140×1Ω=140Ω,误差为1 。显然按照后一种排序所读出的电阻值,在电阻的生产系列中是没有的,故后一种顺序是不对的。
处理器(cpu)、绘图芯片(gpu)运算效能随摩尔定律而飞快进展,加上云端运算、网际网路行动化浪潮下,持续驱动动态存储器(dynamic ram;dram)的规格进化。从非同步的dip、edo dram,到迈向同步时脉操作的sdram开始,以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器,甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。 处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变,从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel NCV8402ADDR2G VNH7013XPTR-E SKA-TC237LP-32F200NAC MMPF0100F0ANES TLD2331-3EP SPC560P50L3CEFAR NCV2902DTBR2G S9S12GN32BMLCR SAK-XC2365A-104F80LRAB IS45S32200L-7BLA2 ISO7741QDWRQ1 MC13892DJVL MC80F0808DP FMS6363ACSX R5S72623P144FPU LM5164DDAR SY6288CAAC AK4125VF MAX4390EUK-T MIC49300WR NCP3121MNTXG LMC7215IM5/NOPB APM32F030C8T6
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