25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电阻是应用于各种电子设备的多的电阻类型，无论怎样安装，维修者都能方便的读出其阻值，便于检测和更换。但在实践中发现，有些电阻的排列顺序不甚分明，往往容易读错，在识别时，可运用如下技巧加以判断：
技巧1：先找标志误差的，从而排定顺序。常用的说电阻误差的颜色是：金、银、棕，尤其是金环和银环，一般绝少用做电阻的环，所以在电阻上只要有金环和银环，就可以基本认定这是电阻的末一环。
技巧2：棕是否是误差标志的判别。棕既常用做误差环，又常作为  数字环，且常常在环和末一环中同时出现，使人很难识别谁是环。在实践中，可以按照之间的间隔加以判别：比如对于一个五道的电阻而言，  五环和  四环之间的间隔比环和环之间的间隔要宽一些，据此可判定的排列顺序。
技巧3：在仅靠间距还无法判定顺序的情况下，还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的读序是：棕、黑、黑、黄、棕，其值为：100×10000=1MΩ误差为1  ，属于正常的电阻系列值，若是反顺序读：棕、黄、黑、黑、棕，其值为140×1Ω=140Ω，误差为1  。显然按照后一种排序所读出的电阻值，在电阻的生产系列中是没有的，故后一种顺序是不对的。
东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z