25小时在线 15889737035 可微可电

这三款新放大器的双向检测功能允许用一个电流检测电路测量正反电流，有助于设计人员缩减物料清单成本。新产品还适用于高低边两种连接配置，允许高低边共用相同型号的器件，从而简化库存管理工作。
三款新产品的电源电压均在2.7v-5.5v范围内，进一步提高了应用灵。宽输入电压容差允许新产品在电源电压下检测从-20v至70v的共模电压电流。新产品具有高增益带宽乘积和快速压摆率(tsc2010的两项参数分别为820khz和7.5v/μs)，测量精度高。
三款新产品内部集成emi滤波器和2kv hbm(人体模型)的esd防护功能，器件抗扰能力强，可在-40°c至125°c的工业温度范围内工作。
这三款新产品还有配套的steval-aetkt1v2板，帮助设计人员快速启动使用一款器件的开发项目， 产品上市时间。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8两种封装。

 

在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  TPS74801QRGWRQ1 TPIC44L01DBR TLE42754G NCV47821PAAJR2G TPS745125PQWDRBRQ1 S9S12GN32BMLCR S9S12G192F0CLL LM324IYPT BUK9K35-60E S9S12G192F0CLL TPS40210QDGQRQ1 TPS74801QRGWRQ1 BZX384-C6V2 S912XDP512JMAL A4935KJPT-T TLE42754G SPC5743PK1AMLQ5R UCC28C41QDRQ1 NCV47821PAAJR2G MCIMX6D6AVT08AD SPC560P44L3CEFAR AONR34332C DMP4015SK3Q PESD1CAN.125 S9S12G64AMLF