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据海外， 苹果公司之所以能建立起电子产品帝国，要归功于把生产外包给一个由芯片制造商和其他零部件生产商组成的庞大 系统的做法。近年来，在 执行官库克(timcook)的下，苹果公司正在收回许多外包业务。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z