25小时在线 15889737035 可微可电 过去的一年，给电视市场带来诸多不确定性，打乱了不少厂商的市场推进节奏，三星电视则适时采取了三大策略，在竞争盲目强调时，不跟风打“价格战”;坚定自己的技术路线，在电视领域寻求突破;以消费者需求为 ，基于用户兴趣、行为等关键画像实现产品反向研发，让三星电视在市场逆境中逆流直上。而三大策略的背后，是三星停歇的科技和对市场需求的前瞻性洞察。
采用点 mini led 面板的三星电视neo qled 8k电视坚定走化之路，科技止步
  画质是电视重要也基础的要求，一直以来，三星持续通过技术打磨qled电视和micro led电视，使之成为三星电视在市场领域的先锋产品。今年初，三星发布的新一代qled 8k qn900a就 了前沿的点矩阵技术和新的neo点处理器，实现了更的明暗对比度和更精细的背光控制。
  此前，对于市面上的点电视来说，想呈现更广泛的色彩，需要高亮支持，但过高亮度又会冲淡画面的色彩表现力，这两点似乎难以调和，对此，三星通过qled金属点技术进行了平衡处理，实现提升发光效率的同时，也能色彩性，将电视画质提升到更高维度。并且，三星neo led系列发光元件体积只有传统led背光的四十分之一，这也使得其neo led电视不仅更薄，而且还可以轻松实现旋转等不同姿态的场景应用。
  今年一季度，三星推出的110英寸micro led电视，一次面向了家庭消费级市场，在显示领域的深厚积淀与能力，让三星在不断变动中的市场中，继续成为显示领域的探索者。
  micro led是被业界广泛的下一代显示技术，目前，该技术正处于量产技术攻关关键期，芯片效率、制造良率、巨量转移等一直是整个行业亟待突破的产业化痛点。三星110英寸micro led电视的推出，意味着在业界以传统电视形式，为广大消费者提供了基于micro led这一新显示技术的生活体验。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS259573DSGR TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS7B6925QDCYRQ1 SN74LVC1G175DCKR TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1