25小时在线 15889737035 可微可电 电感在电路中常用“L”加数字说，如：L3说编号为3的电感。电路板上的电感器
电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。
  直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。
  电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金说1uH（误差5  ）的电感。
电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。
 flash存储器又成为闪存，它与eeprom都是掉电后数据不丢失的存储器，但是flash的存储容量都普遍的大于eeprom，在存储控制上，主要的区别是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以单个字节擦除。  sram是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。stm32f1系列可以通过fsmc外设来拓展sram。  注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储，而是自由进行数据读写。stm32的f1系列是不支持sdram的。 STM32F103VET6 TEF6686AHN/V205 MCIMX6Y2CVM08AB LPC822M101JHI33E 74AVC8T245BQ KSZ8863RLLI KSZ8081MNXIA-TR MCP9700AT-E/LT PIC16F1508-I/SS ATMEGA1284P-AU ICE3PCS01G IRFP4668PBF IR21844STRPBF RT9701PB UT4407G-S08-R UT4411G-S08-R NTR4502PT3G AD8617ARMZ-REEL AD8604ARZ-REEL7 AD8554ARZ-REEL7 AON6370 MCP6292T-E/SN MCP6282T-E/SN MCP6242T-E/SN MCP6232T-E/SN MCP617T-I/SN MCP607T-I/SN MCP6072T-E/SN MCP606T-I/OT RT9193-33GB RT9179PB RT9179GB RT9166-33GVL RT9161A-33GV RT9161-50GV RT9013-33GB RT9013-18GB AO4440 AOD200