60N10-ASEMI高压MOS管60N10
编辑：ll
60N10-ASEMI高压MOS管60N10
型号：60N10
品牌：ASEMI
封装：TO-263
漏源电流：60A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：0.24Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管
工作结温：-55℃~150℃
60N10场效应管
60N10的电性参数：漏源电流60A；漏源击穿电压100V
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