24N50-ASEMI高压MOS管24N50

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24N50-ASEMI高压MOS24N50

型号:24N50

品牌:ASEMI

封装:TO-247

漏源电流:24A

漏源击穿电压:500V

RDSONMax0.24Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS

工作结温-55℃~150℃

24N50场效应管

24N50的电性参数:漏源电流24A;漏源击穿电压500V

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