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24N50-ASEMI高压MOS管24N50
型号:24N50
品牌:ASEMI
封装:TO-247
漏源电流:24A
漏源击穿电压:500V
RDS(ON)Max:0.24Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管
工作结温:-55℃~150℃
24N50场效应管
24N50的电性参数:漏源电流24A;漏源击穿电压500V