20N10-ASEMI中低压MOS管20N10
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20N10-ASEMI中低压MOS管20N10
型号：20N10
品牌：ASEMI
封装：TO-22AB
漏源电流：20A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：0.12Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的20N10 MOS管
ASEMI品牌20N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了20N10的漏源电流20A，漏源击穿电压100V.
•细节体现差距
20N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
20N10具体参数为：漏源电流：20A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB
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