东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同,闪存的特点是nvm,其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年,公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里,intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术,并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制,并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ,它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半,在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现,它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块, nand 的存储块大小为 8 到 32kb ),这种结构大的点在于容量可以做得很大,超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍, nand 闪存的成本较低,有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢,它的 i/o 端口只有 8 个,比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构,内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修,性较 nor 闪存要差。
rom也有很多种,prom是可编程的rom,prom和eprom(可擦除可编程rom)两者区别是,prom是也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而eprom是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种eeprom是通过电子擦出,价格,写入时间很长,写入很慢。手机软件一般放在eeprom中,我们打电话,有些后拨打的号码,暂时是存在sram中的,不是马上写入通过记录(保存在eeprom中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。 flash存储器又称闪存,它结合了rom和ram的长处,不仅具备电子可擦除可编程(eeprom)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(nvram的势) rom(eprom)作为它们的存储设备,然而近年来 flash代替了rom(eprom)在嵌入式系统中的,用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(u盘)。目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。 3、flashEPF8636ARC208-3 SN74LS373NSR M25P32-VMW6TG MC74HC00ADTR2 W25Q80BWBYIG BC212015BQN-E4 MT47H32M16BN-3:D M5M51008CFP-55H K6R4008C1C-JC15 MC10105L N80C186XL12 TL497ACNS MT46V32M16BN-6:F EPM7032LC44-15 EPM7096LC68-7 EPM7032LC44-7 IDT7201LA50TP M27C1001-15F1 TE28F640J3C120 TD62597AFNG BD6171KV-E2 R1LV0408DSA-7LI IDGKM101 INA201AIDGKR INA156EA ALP514SF ADS8864IDGS ADS7818E ADS7835E ADS8860IDGSR SA575DTBR2G INA337AIDGKR LM2902KVQPWRQ1 LM358DGKR VCA820IDGSR UCC38C42DGK XTR117AIDGKR TAS5709AGPHPR R5F213J5CNNP RTS5821T-GR SA2400ABE SI4838DY-T1-E3