25小时在线 15889737035 可微可电 1）1001说的是1010^2=1k，1002说的是1010^3=10k，1502说的是1510^3=15k，以此类推， 2）除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外，还有用划线的方法，来说±1 精度的，比如：103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻，562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么，上面是丝印的一种直接读数的方法，除此之外，还有另一种丝印代码的方法：e-96代码的丝印标识方法，它的精度也是±1 ，关于这种丝印的代码标识，它有自己的一套计算公式，大家可以去查表，不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的，作为电子来说，只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的，不需知道怎么去研究具体怎么来的，那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说，一定要知道元器件的大概价格，如果你设计出来的产品成本，即使再秀再的板子，那么在市场上没有竞争力，也是没有实际价值的。那么，可能有的毕业的，和采购之间相互推诿，认为这是采购的事，价格的事由采购来谈。其实，这中间的责任没有那么的明确的，有时候需要相互沟通、相互协调，等你的产品进入批量生产的时候，采购部有他们自己的指标，会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下，封装越大，价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻，也会根据材料的不同，价格也有所不同，合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是，一般情况下，精度越高，价格越高。还需要说明的是，在特殊情况下，即使±5 精度的阻值，它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高，这是因为该电阻阻值不是标称值。在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  STM32F756VGT6 STM32F765IIT6 STM32F765NIH7 STM32F778AIY6TR STM32L011D4P6 STM32L011E4Y6TR STM32L011F3P6TR STM32L011G4U6 STM32L011K4U6 STM32L031F6P6TR STM32L052C8T7 STM32L0538-DISCO STM32L073VBT6 STM32L100C6U6 STM32L100R8T6 STM32L100RCT6 STM32L151C6T6TR LM393PT LMV822IDT MC33078DT LF253DT LMV358IDT LM2903PT