25小时在线 15889737035 可微可电

采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

意法半导体 系统的势 stgik50ch65t早已公开，因此团队可以为此做好准备。一旦发布了该器件，就可以直接使用热仿真器（st powerstudio）和开发板（steval-ipm系列）开始工作。尽管一些大客户已经说出浓厚兴趣，但为了使较小规模的团队也可以尽快开始设计，我们将提供板及原理图等资料，帮助更快地将产品推向市场。同时，热仿真器将设计出满足其性能、性和噪声要求的冷却系统。 TLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G