深圳回收射频微控制器 封装VQFN48芯片回收 181+2470一起1558 微芯同号 v- flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前 先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的,而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除nand器件是以8～32kb的块进行的,执行相同的操作多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时), 的擦除操作 在基于nor的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时, 权衡以下的各项因素。
● nor的读速度比nand稍快一些。
● nand的写入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
● 大多数写入操作需要行擦除操作。
● nand的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
性
采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用