深圳回收TI德州仪器全新射频微控制器 181+2470一起1558 微芯同号 v- nor flash带有sram接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据。
nand读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量成本
nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半,由于生产过程更为简单,nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
nor flash占据了容量为1~16mb闪存市场的大部分,而nand flash只是用在8~128mb的产品当中,这也说明nor主要应用在代码存储介质中,nand适合于数据存储,nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc存储卡市场上所占份额大。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。