回收SAMSUNG隔离恒温电源IC
深圳市远华信达科技有限公司
回收SAMSUNG隔离恒温电源IC 181+2470一起1558 微芯同号 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前 先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的,而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
由于擦除nor器件时是以64~128kb的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除nand器件是以8~32kb的块进行的,执行相同的操作多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nadn之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时), 的擦除操作 在基于nor的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时, 权衡以下的各项因素。
● nor的读速度比nand稍快一些。
● nand的写入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
● 大多数写入操作需要行擦除操作。
● nand的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
性
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