TPS65217CRSLR回收电源管理IC   181+2470一起1558 微芯同号   随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。
  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。
  东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。
  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。
  移动设备的快闪存储器容量、速率进展
  移动设备所需要的gb储存容量，据估计每部手机搭配的nand flash容量，将从2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb；每部平板电脑搭配nand flash容量，从28.7gb增加到2015年的96.1gb。
  emmc（embedded multimedia card）是jedec协的储存媒体规范，其藉由将mmc controller跟nand flash封装成一颗芯片的方式，移动设备无须顾虑着nand flash制程与规格的改变，与新世代nand flash搭配的快闪存储器控制芯片与韧体的搭配，进而简化体积与电路设计。2013年有4.5亿部移动设备均使用emmc。
  而universal flash storage（ufs）将以往emmc安、低功耗、小尺寸封装的应用， 目前ssd所使用到的高速串列介面技术，目前ufs 1.1规格传输速率达到3gbps，未来ufs 2.0将可进一步达到6gbps。因ufs跟既有的emmc介面迥然不同也无法相容，相关产业供应链尚未齐，整个产业 尚未建立，ufs产品预估2014年才有小量产品出现在市面上，且因成本因素会瞄准在市场，ufs与emmc两者届时会并存在市场上一阵子。